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氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用|埃登威自動化系統(tǒng)設備（上海）有限公司

氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用

在單晶硅的制備過程中，氬氣作為保護氣體被廣泛應用。然而，氬氣中的氧含量問題對拉晶過程產(chǎn)生了一定的影響。本文將重點探討氬氣中氧含量高對拉晶的影響，以及ADEV氧分析儀在解決這一問題中的應用。

首先，讓我們深入了解氬氣中氧含量高對拉晶的具體影響。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用

一、氬氣中氧含量對拉晶的影響

  1. 硅片電化學性能的變化：氧在硅片中主要以氧團簇和氧沉淀的形式存在。這些氧團簇和氧沉淀會導致硅片的電阻率發(fā)生變化，從而影響其電學性能。對于N型樣品，氧的存在會導致電阻率下降；而對于P型樣品，氧的存在會導致電阻率增加。這些變化會影響硅片的徑向電阻率的均勻性，使得電阻率熱穩(wěn)定性變差，*終影響到成品率。
  2. 少數(shù)載流子壽命的降低：氧與硅中的載流子相互作用，可能通過與空位結合形成微缺陷，從而影響載流子的傳輸和壽命。這對于微電子集成電路和功率半導體器件的性能來說，具有重要的影響。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用

二、ADEV氧分析儀的應用

ADEV便攜式微量氧含量分析儀G9600是專門設計用于檢測高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量的儀器。它可以應用于對惰性氣體、碳氫氣體、He、H2、CO2中的氧含量進行10ppb-10000ppm的分析。G9600微量氧分析儀具有以下特點：

  1. 高精度測量：其精度達到了<1%滿量程，確保了測量結果的準確性。
  2. 數(shù)據(jù)儲存功能：可存儲10000個數(shù)據(jù)，方便用戶對數(shù)據(jù)進行管理和分析。
  3. 中英文界面：提供中英文界面選擇，適應不同用戶的需求。
  4. 多種輸出方式：包括RS485輸出，方便與其他設備進行數(shù)據(jù)傳輸。
  5. 快速恢復時間：在空氣中暴露60秒鐘后，用氮氣恢復至10ppm的時間僅需20分鐘，確保了連續(xù)測量的能力。
  6. 響應時間快：90%滿量程的響應時間為10秒，能夠迅速捕捉到氧氣濃度的變化。
  7. 長壽命傳感器：傳感器壽命長達24個月，為長時間連續(xù)測量提供了保障。
  8. 溫度范圍廣：可在0-45℃的溫度范圍內(nèi)進行測量，適應各種環(huán)境條件。
  9. 內(nèi)置泵選項：可選內(nèi)置泵，方便樣氣的抽取和測量。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用

三、結論

氬氣中氧含量過高對拉晶過程產(chǎn)生了不可忽視的影響，從電化學性能的變化到少數(shù)載流子壽命的降低，都直接關系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。而ADEV氧分析儀G9600的應用為解決這一問題提供了有效的工具。通過準確測量氬氣中的氧氣濃度，及時調(diào)整工藝參數(shù)，可以確保硅片的電學性能和成品率達到*佳狀態(tài)。隨著科技的不斷發(fā)展，相信ADEV氧分析儀在未來的單晶硅制備過程中將發(fā)揮更加重要的作用。

氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應用

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